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問：可控硅調(diào)光電源中可控硅壞的原因有哪些？
來源：東莞市成良智能科技 發(fā)布時(shí)間：2020-05-29 點(diǎn)擊量：980
答：1、電壓擊穿：調(diào)光電源中可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞：電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。
3、電流上升率損壞：其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、邊緣損壞：發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。
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